El substrat de l'hòstia és el material bàsic dels xips semiconductors. La seva puresa i estructura de gelosia afecten directament les propietats elèctriques i tèrmiques del xip. Com que el molibdè té un alt punt de fusió i un bon coeficient d'expansió tèrmica, pot suportar l'estrès i la deformació en entorns de preparació d'alta temperatura, ajudant a garantir una producció fiable de xips LED i millorar l'eficiència de les fonts de llum. A principis de desembre, vam lliurar amb seguretat l'hòstia de metall de molibdè completada als clients de Singapur a través d'express internacional. Durant el procés de comunicació, tots dos vam tenir una discussió detallada sobre les especificacions de mida i els processos de producció requerits pel client. Bàsicament vam complir els requisits de comanda del client i finalment vam estipular un termini de lliurament. Si esteu interessats en altres productes de metall de molibdè, poseu-vos en contacte amb nosaltres per correu electrònic.
Hi ha dos mètodes principals de producció per a les hòsties de molibdè polit, un és la metal·lúrgia de pols i l'altre és el laminat en fred o el laminat en calent. La pulvimetal·lúrgia consisteix a barrejar pols de molibdè amb altres elements d'aliatge i després pressionar-la per formar hòsties. El mètode de laminació en fred és enrotllar el blanc de la placa de molibdè a alta temperatura i alta pressió i, a continuació, realitzar el recuit i la neteja alcalina per obtenir làmines fines de molibdè. Moly Wafer és un material de substrat indispensable per a la producció d'equips complets de rectificador de silici, dispositius de silici semiconductors, ànodes de tubs de buit i instruments. Té un alt punt de fusió, baix coeficient d'expansió, alta densitat, alta conductivitat tèrmica, alta duresa, baixa resistivitat i bones propietats mecàniques. Amb resistència a la corrosió, bona dissipació de calor, durabilitat forta i altres característiques.
