Objectiu de platí

L’objectiu de platí està fabricat amb material de platí d’alta puresa després de la fosa i el rodatge. Té els avantatges de l’alta puresa, la forta resistència a la corrosió, l’eficiència ràpida, l’eficiència d’alta qualitat del recobriment i la llarga vida útil. La pel·lícula de platí d’alt rendiment que es pot utilitzar en semiconductors, instruments òptics, sensors, cèl·lules solars, materials decoratius de gamma alta i altres camps. La nostra empresa també pot proporcionar altres objectius de metall o aliatge com ara aliatge d’alumini de titani, níquel, zirconi, tungstè, silici d’alumini i niobi i pot acceptar serveis personalitzats. Si teniu dubtes sobre els detalls o el temps de lliurament d’aquest producte, no dubteu en posar -vos en contacte amb nosaltres a admin@fanmetalloy.com. Esperem el vostre missatge.

Enviar la consulta

Descripció de l'objectiu de platí

Selecció i processament de materials

Utilitzem materials de platí d’alta puresa mitjançant la fusió de la inducció del buit o la fusió del feix d’electrons, i després forjar, rodar, tallar, retallar, mòlta, polir-los i netejar-los abans de la producció. Finalment, realitzarem una inspecció completa de qualitat abans de l’envasament i l’enviament. Tots els nostres productes estan certificats ISO i es poden demanar amb confiança.

Característiques

L’alta puresa i les baixes impureses asseguren que la pel·lícula de platí dipositada tingui un bon rendiment i estabilitat.
Pot mantenir una bona estabilitat química en medis corrosius com ara alta temperatura, humitat, àcid i alcali.
Punt de fusió elevat, bona estabilitat dimensional a alta temperatura i no és fàcil de deformar.
La pel·lícula dipositada té els avantatges d’una bona adhesió, baixa resistència i bona resistència a l’oxidació.
Excel·lent conductivitat elèctrica i tèrmica, alta eficiència.

Aplicació

L’objectiu de platí s’utilitza sovint en semiconductors, circuits integrats, cèl·lules solars, instruments òptics, sensors, dispositius electrònics i altres camps.

Fabricació de xip de semiconductors

Els materials de la capa de barrera i els materials d’elèctrodes de transistor utilitzats en processos d’interconnexió de coure poden reduir el consum d’energia de xip i el rendiment de funcionament.

Recobriment de dispositius òptics

S'utilitza per preparar elèctrodes o capes reflectants superficials i capes de transmissió de llum per assegurar el funcionament normal dels dispositius optoelectrònics en tecnologia làser, observació astronòmica i anàlisi espectral.

Gas i biosensors

S'utilitza per millorar la sensibilitat dels components interns i servir com a elèctrode de treball per ajudar a detectar reaccions electroquímiques entre biomolècules i millorar el rendiment de la detecció.

Nous vehicles energètics

Els catalitzadors utilitzats per fabricar piles de combustible d’hidrogen utilitzen la tecnologia de sputtering de magnetrons per formar una capa nanocatalítica per accelerar la reacció d’hidrogen-oxigen i reduir costos.

Especificacions de l'objectiu de platí:

Material	PT
Puresa	99.95%
Diàmetre	50mm
Gruix	0. 1mm
Densitat	21,47g/cm³
Superfície	Neteja polit, alcalí, neteja química
Estàndard	Astm, GB
Termini de lliurament	20 dies
Certificació	ISO 9001